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プロファイル
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氏名・所属
芝原 健太郎(しばはら けんたろう)
shiba@sxsys.hiroshima-u.ac.jp

広島大学
Research Center for Nano-devices and Systems
助教授
略歴
1988 京都大学博士後期課程 電気工学第二専攻 修了、
京都大学工学博士
1988.〜
1995.1.
日本電気勤務
超高速デジタルGaAs系FETや高集積DRAMの研究開発に従事
1995.2. 広島大学集積化システム研究センター助教授
1996.5. ナノデバイス・システム研究センター発足に伴い同センター助教授
現在に至る
所属学協会 応用物理学会、電子情報通信学会、IEEE、MRS
世界水準の成果 Sb注入を用いた極浅低抵抗接合形成とMOSFET応用 IEDM 1996
IEICE Trans. on Electronics 2002 招待論文
1.2nm極薄ゲート酸化膜MOSFET製作と特性解析 IEDM 1998
先駆的な研究成果 重イオン注入によるデバイス特性揺らぎの軽減
産官学連携 STARC (2001〜)
・小松製作所 (2001〜)
・広島NEC (2002〜)
主な発表論文名
1. K. Shibahara, “Ultra-Shallow Jucntion Formation with Antimony Implantation” (Invited Paper), IEICE Trans. Electron., Vol. E85-C, 97 (2002), pp. 1091-10,.
2.  D. Notsu, N. Ikechi, Y. Aoki, N. Kawakami and K. Shibahara , “Fabrication of 100 nm width Fine Active-Region Using LOCOS Isolation”, IEICE Trans. Electron., Vol. E85-C, (2002), pp. 1119-1123.
3. T. Amada, N. Maeda, and K. Shibahara , “Degradation in a Molybdenum-Gate MOS Structure Caused by N+ Ion Implantation for Work Function Control”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., vol. 716, (2002), pp.B7.5.1-B7.5.6.
4. M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki and M. Hirose, “Limit of Gate Oxide Thickness Scaling in MOSFETs due to Apparent Threshold Voltage Fluctuation Induced by Tunnel Leakage Current”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 48 No. 2, (2001), pp. 259-264.
5. K. Shibahara, K. Egusa and K. Kamesaki and H. Furumoto, “Improvement in Antimony-Doped Ultra Shallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, (2000), pp. 2194-2197.
研究室ページ http://www.rcns.hiroshima-u.ac.jp/
個人ページ http://www.rcns.hiroshima-u.ac.jp/shiba/
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