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プロファイル
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氏名・所属
中島 安理(なかじま あんり)
nakajima@sxsys.hiroshima-u.ac.jp

広島大学
Research Center for Nano-devices and Systems
助教授
略歴
1991.3. 東北大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程後期修了
1991-1997 富士通株式会社
主にSi量子デバイスの研究に従事
1998.1. 広島大学ナノデバイス・システム研究センター助教授
現在に至る
所属学協会 応用物理学会、日本物理学会
世界水準の成果 ・減圧化学気相法によるSi量子ドットの形成
・セルフアラインフローティングドットSi単一電子メモリの作製
・原子層成長Si窒化膜/SiO2スタックゲート絶縁膜の形成
先駆的な研究成果 ・減圧化学気相法によるSi量子ドットの形成
・セルフアラインフローティングドットSi単一電子メモリの作製
・原子層成長Si窒化膜/SiO2スタックゲート絶縁膜の形成
・ナノサイズ金属ドットの低エネルギーイオン注入法による形成
産官学連携 STARC等での共同研究
主な発表論文名
1. A. Nakajima, Y. Sugita, K. Kawamura, H. Tomita, and N. Yokoyama, "Si quantum dot formation with
low-pressure chemical vapor deposition," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, Part 2, No.2B, pp. L189-L191
(1996). (21回)
2.  A. Nakajima, T. Futatsugi, K. Kosemura, T. Fukano, and N. Yokoyama, " Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot gate," Appl. Phys. Lett. Vol. 70, No.13, pp. 1742-1744 (1997). (80回)
3. A. Nakajima, Q.D.M. Khosru, T. Yoshimoto, and S. Yokoyama, "Atomic-layer-deposited silicon-
nitride/SiO2 stack ---- a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology,"
Microelectronics Reliability Vol. 42, pp.1823-1835 (2002) (Introductory Invited).
4. A. Nakajima, T. Itakura, S. Watanabe, and N. Nakayama, "Photoluminescence of porous Si, oxidized then deoxidized chemically," Appl. Phys. Lett. Vol. 61, No. 1, pp. 46-48 (1992). (75回)
5. T. Suemoto, K. Tanaka, A. Nakajima, and T. Itakura, "Observation of phonon structures in porous Si
luminescence," Phys. Rev. Lett. Vol. 70, No.23, pp. 3659-3662 (1993). (89回)
  (被引用回数、2003年3月現在 文部科学省 国立情報学研究所のデータベース)
研究室ページ http://www.rcns.hiroshima-u.ac.jp/
個人ページ http://www.rcns.hiroshima-u.ac.jp/nakajima/
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