EnglishSite MapcontactGo FLASH page

プロファイル
COEメンバー トップ

氏名・所属
三浦 道子(みうら みちこ)
mmm@hiroshima-u.ac.jp
広島大学大学院 先端物質科学研究科
量子物質科学専攻
教授
略歴
1972 広島大学理学部卒業
1974年 広島大学理学研究科修士課程修了(理学修士)
1980 広島大学理学研究科博士課程修了(理学博士)
1981-1984 マックスプランク研究所 (ドイツ) 固体物理部門研究員
1984-1996 株式会社シーメンス (ドイツ) 中央研究所主任研究員
1996 広島大学工学部第二類電子物性工学講座教授
所属学協会 応用物理学会、Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
世界水準の成果 回路設計用デバイスモデルHiSIMの開発
デバイスにおける非平衡輸送モデルの開発
先駆的な研究成果 40nm-MOSFETのバリスティック輸送現象
50nm-SOI-MOSFETにおける電流振動
ディープレベル捕獲を利用したデバイス
産官学連携 STARC 1998-
Selete 1999-
NEDO 2002-
主な発表論文名
1. W. Haensch and M. Miura-Mattausch, "The Hot-Electron Problem in Small
Semiconductor Devices," J. Appl. Phys., Vol. 60, No. 2, pp. 650-656, 1986.
2.  M. Miura-Mattausch, U. Feldmann, A. Rahm, M. Bollu, and D. Saviganc, "Unified
Complete MOSFET Model for Analysis of Digital and Analog Circuits," IEEE Trans.
CAD/ICAS, Vol. 15, No. 1, pp. 1-7, 1996.
3. M. Miura-Mattausch, H. J. Mattausch, N. D. Arora, and C. Y. Yang, "MOSFET
Modeling Gets Physical," IEEE Circuit & Devices, Vol. 17, No. 6, pp. 29-36, 2001.
4. T. Okagaki, M. Tanaka, H. Ueno, and M. Miura-Mattausch, "Importance of Ballistic
Carriers for the Dynamic Response in Sub-100nm MOSFETs," IEEE Electron Device
Letters, Vol. 23, No. 3, pp. 154-156, 2002.
5. H. Ueno, M. Tanaka, K. Morikawa, T. Takahashi, M. Miura-Mattausch, and Y. Omura,
" Origin of Transconductance Oscillations in Silicon-on-Insulator
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with an Ultrathin 6-nm-Thick Active Si Layer," J. Appl. Phys., Vol. 91, No. 8, pp. 5360-5364, 2002.  
研究室ページ
個人ページ
このページのトップへ戻る