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日時: 平成15年7月30日 (水)，13 : 10 - 14 : 50

場所: ナノデバイス・システム研究センター　東棟 5 階会議室
講演題目: 微細 CMOS 高速化のためのチャネルエンジニアリングと素子物理
講演者:
　高木 信一 氏
　半導体 MIRAI プロジェクト
　新構造トランジスタ及び計測解析グループ
　MIRAI 川崎分室
　東芝研究開発センター LSI 基盤技術ラボラトリー
講演内容:
  • サブ100nm CMOSの課題とチャネルエンジニアリングの必要性
  • チャネル移動度向上技術 - ひずみSi，ひずみ SOI，SGOI トランジスタ 極薄 SOI チャネルの電気的性質
  • 微細 CMOS での移動度に関する諸問題
  • バリスティック輸送下での MOSFET の特性とチャネル構造による変調効果

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